導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體跟絕掩體之間的物質(zhì)叫做半導(dǎo)體材料。常見半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)對(duì)于材料應(yīng)用甚為重要，所以有著不同的特性。下面小編簡(jiǎn)單介紹下常見的半導(dǎo)體材料特點(diǎn)有哪些，常見半導(dǎo)體材料有什么優(yōu)勢(shì)吧。

常見的半導(dǎo)體材料特點(diǎn)

常見的半導(dǎo)體材料有硅(si)、鍺(ge),化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵(gaas)等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼(b)、磷(p)、錮(in)和銻(sb)等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。

有以下共同特點(diǎn)：

1.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間

2.半導(dǎo)體受外界光和熱的刺激時(shí)，其導(dǎo)電能力將會(huì)有顯著變化。

3.在純凈半導(dǎo)體中，加入微量的雜質(zhì)，其導(dǎo)電能力會(huì)急劇增強(qiáng)。

常見半導(dǎo)體材料有什么優(yōu)勢(shì)

半導(dǎo)體材料是室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類功能材料?？侩娮雍涂昭▋煞N載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大;若摻入活性雜質(zhì)或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的變化。1906年制成了碳化硅檢波器。

1947年發(fā)明晶體管以后，半導(dǎo)體材料作為一個(gè)獨(dú)立的材料領(lǐng)域得到了很大的發(fā)展，并成為電子工業(yè)和高技術(shù)領(lǐng)域中不可缺少的材料。特性和參數(shù)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，由于雜質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠?jī)r(jià)帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。

不同類型半導(dǎo)體間接觸(構(gòu)成PN結(jié))或半導(dǎo)體與金屬接觸時(shí)，因電子(或空穴)濃度差而產(chǎn)生擴(kuò)散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向?qū)щ娦浴＠肞N結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以制成具有不同功能的半?dǎo)體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。

此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)外界條件的變化非常敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場(chǎng))下內(nèi)部載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯(cuò)是晶體中最常見的一類缺陷。位錯(cuò)密度用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對(duì)于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。

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